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    • 专利摘要:
    一種具有複數個凹面及隔離結構之施體基板可被提供。隔離結構可藉由凹面而界定。第一電極係形成於第一基板上。像素定義層可形成於第一電極上，以界定複數個像素區域。施體基板可設置於第一基板上，且雷射引發熱成像製程可執行以形成複數個發光層於像素區域中。第二電極可形成於像素定義層及發光層上。具有小尺寸之有機發光層可有效地從施體基板獲得。隔離結構可與基板整體地形成，且因此施體基板於雷射引發熱成像製程後可輕易地回收。
    公开号:TW201301505A
    申请号:TW101117929
    申请日:2012-05-18
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Hyea-Weon Shin；Sang-Soo Kim；Sang-Hun Park；Young-Mok Son；Young-Il Kim
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    施體基板、製造施體基板之方法及使用施體基板製造有機發光顯示裝置之方法
    相關申請案之交互參照
    本申請案根據35 U.S.C. § 119主張於2011年6月29日申請之韓國專利申請號10-2011-0063556之優先權及效益，其揭露全部於此併入此處作為參考。
    本發明之範例實施例係關於施體基板、製造施體基板之方法及使用施體基板製造有機發光顯示裝置之方法。
    一般來說，有機發光顯示裝置可包含薄膜電晶體、像素電極、有機層、共用電極等。有機層可包含發射白色光、紅色光、綠色光及藍色光之至少其一的有機發光層。有機層可額外地包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。
    在用於形成比較例有機發光顯示裝置中之有機發光層之製程中，紅色有機轉移層、綠色有機轉移層及藍色有機轉移層可形成於施體基板上，且接著有機轉移層可使用雷射光束而轉移至像素電極上，因而形成有機發光層於比較例發光顯示裝置中像素的像素電極上。在此例中，有機發光層之污染因為靜電可能時常產生，且於比較例有機發光顯示裝置中可能容易發生相鄰像素之顏色混合。
    範例實施例之態樣係直接針對施體基板，其係可輕易地重複使用且能有效地轉移微小尺寸的有機轉移層。
    範例實施例之態樣係直接針對製造施體基板之方法，此施體基板係可輕易地重複使用且能有效地轉移微小尺寸的有機轉移層。
    範例實施例之態樣直接針對使用施體基板製造有機發光顯示裝置之方法，此施體基板係可輕易地重複使用且能有效地轉移微小尺寸的有機轉移層。
    本發明之範例實施例之態樣直接針對具有凹面結構之施體基板、製造具有凹面結構之施體基板的方法以及使用具有凹面結構之施體基板製造有機發光顯示裝置之方法。
    根據範例實施例，係提供包含基板、光熱轉換層及有機轉移層之施體基板。基板可具有凹面及相鄰於此凹面之隔離結構。光熱轉換層可設置於凹面中。有機轉移層可設置於光熱轉換層上。
    於範例實施例中，施體基板可更包含設置於凹面之底面與光熱轉換層之間的下部層。
    於範例實施例中，下部層可包含矽、丙烯醯系樹脂(acryl-based resin)、聚亞醯胺系樹脂(polyimide-based resin)、矽氧烷系樹脂(siloxane-based resin)、苯并環丁烯(benzocyclobutene, BCB)、矽氧化物(SiOx)及/或金屬氧化物。
    於範例實施例中，下部層可包含塗佈層及熱幅射層。
    於範例實施例中，基板可包含對雷射光束穿透的材料。
    於範例實施例中，光熱轉換層可包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物及/或碳黑。
    於範例實施例中，光熱轉換層可包含鎳(nickel)、鉬(molybdenum)、鈦(titanium)、鋯(zirconium)、銅(copper)、釩(vanadium)、鉭(tantalum)、鈀(palladium)、釕(ruthenium)、銥(iridium)、金(gold)、銀(silver)、鉑(platinum)、其氧化物及/或其硫化物。
    於範例實施例中，有機轉移層可包含紅色有機轉移層，綠色有機轉移層或藍色有機轉移層。
    根據範例實施例係提供包含基板、第一光熱轉換層、第二光熱轉換層、第三光熱轉換層、紅色有機轉移層、綠色有機轉移層及藍色有機轉移層之施體基板。基板可具有第一凹面、第二凹面、第三凹面以及隔離結構。隔離結構可藉由第一、第二及第三凹面而界定。第一、第二及第三光熱轉換層可分別設置於第一、第二及第三凹面中。紅色有機轉移層可設置於第一光熱轉換層上。綠色有機轉移層可設置於第二光熱轉換層上。藍色有機轉移層可設置於第三光熱轉換層上。
    於範例實施例中，施體基板可更包含分別設置於介於第一、第二及第三凹面之底面與第一、第二及第三光熱轉換層之間的第一下部層、第二下部層及第三下部層。
    於範例實施例中，第一、第二及第三下部層可包含矽、丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯并環丁烯、矽氧化物及/或金屬氧化物。
    於範例實施例中，第一、第二及第三下部層可分別包含塗佈層及熱幅射層。
    根據範例實施例，其係提供一種製造施體基板之方法。在此方法中，凹面及隔離結構可形成於基板上。此隔離結構可藉由凹面而界定。下部層可形成於凹面上。光熱轉換層可形成於下部層上。有機轉移層可形成於光熱轉換層上。
    於範例實施例中，凹面之形成可包含形成遮罩於基板上及使用遮罩而部分地移除基板，從而形成凹面及隔離結構。
    於範例實施例中，凹面及隔離結構之形成可包含噴砂製程(sand blasting process)、乾式蝕刻製程(dry etching process)或濕式蝕刻製程(wet etching process)。
    於範例實施例中，下部層之形成可包含噴嘴印刷(nozzle printing)製程、噴墨印刷(ink-jet printing)製程、刮刀印刷(doctor blade printing)製程、平版印刷(offset printing)製程或生胚薄片積層(green sheet lamination)製程。
    於範例實施例中，光熱轉換層之形成可包含噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、刮刀印刷製程、平版印刷製程、凹版印刷(gravure printing)製程、凹平版印刷(gravure offset printing)製程或狹縫印刷(slit printing)製程。
    於範例實施例中，光熱轉換層之形成可包含生胚薄片積層製程、積層(lamination)製程或轉移(transfer)製程。
    於範例實施例中，有機轉移層之形成可包含噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、刮刀印刷製程、平版印刷製程、凹版印刷製程、凹平版印刷製程、狹縫印刷製程、生胚薄片積層製程或積層製程。
    根據範例實施例，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。在此方法中，具有複數個凹面及隔離結構之施體基板可形成。隔離結構可藉由凹面而界定。第一電極可形成於第一基板上。像素定義層可形成於第一電極上以界定複數個像素區域。施體基板可設置於第一基板上，且可執行雷射引發熱成像製程以形成複數個發光層於像素區域中。第二電極可形成於像素定義層及發光層上。
    於範例實施例中，施體基板可包含形成於凹面上之複數個光熱轉換層以及形成於光熱轉換層上之複數個有機轉移層。
    於範例實施例中，發光層之形成可更包含拼合像素定義層於隔離結構。
    於範例實施例中，雷射引發熱成像製程可執行於減壓或大氣壓下。
    根據範例實施例，施體基板可包含於凹面中的光熱轉換層及有機轉移層。介於凹面之間的基板的部分可作用為隔離結構。具有微小尺寸的有機發光層可自施體基板而有效地獲得。隔離結構可與基板整體地形成，且因此施體基板於雷射轉移製程後可重複地使用。
    在下文中各種不同範例實施例將參考其中繪示一些範例實施例之附圖而更充分地說明。然而，此發明可以許多不同形式體現且不應解釋為限制於在此說明之範例實施例。相反地，這些範例實施例係提供以使得這些說明將徹底及完整，且將充分地傳達本發明之範疇於該領域中具有通常知識者。於圖式中，層及區域之大小及相對大小可能為求清晰而誇大。
    將理解的是，當元件或層被提及於另一元件或層“上(on)”、“連接於(connected to)”或“耦接於(coupled to)”另一元件或層時，其可直接地位於其它元件或層上、直接地連接於或耦接於其它元件或層，或可存在一或多個中介元件或層。相反地，當一元件被稱為“直接地在其上(directly on)”、“直接地連接於(directly connected to)”或“直接地耦接於(directly coupled to)”另一元件或層時，係不存在中介元件或層。相同的參考符號於整篇說明書中係表示相同的元件。當在此使用時，詞彙“及/或”包含一或多個關連條列項目之任何及所有組合。
    將理解的是，雖然詞彙第一、第二、第三、第四等在此可用來描述不同的元件、構件、區域、層及/或部分，這些元件、構件、區域、層及/或部分不應被這些詞彙所限制。這些詞彙僅用來從另一區域、層或部分區分出一元件、構件、區域、層或部分。因此，下文所提及之第一元件、構件、區域、層或部分可標為第二元件、構件、區域、層或部分而不會脫離本發明之教示。
    為了方便敘述，空間相對詞彙諸如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“上(above)”、“上(upper)”等可在此說明如圖式所繪示之元件或特徵與其它元件或特徵之關係。將理解的是，空間相對詞彙除了圖式所繪示之定位外亦旨在涵蓋於使用或操作裝置時之不同定位。例如，如果圖式中之裝置翻轉，描述於其它元件或特徵之“下(below)”或“下(beneath)”的元件將定位於其它元件或特徵之“上(above)”。因此，範例詞彙“下(below)”能涵蓋上及下兩者之定位。裝置可另外定位(旋轉90度或其它方向)，且在此所使用之空間相對用語應作對應地解釋。
    在此所使用的術語係僅為了描述特定範例實施例之目的，且非旨在限制本發明。當在此使用時，除非內文另有清楚的指示，單數形式之“一(a)”、“一(an)”及“此(the)”亦旨在包含複數形式。將進一步理解的是使用於此說明書之詞彙“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”係註明所述之特徵、數目、步驟、操作、元件及/或構件之存在，但不排除存在或增加一或多個其他特徵、數目、步驟、操作、元件、構件及/或其組合。
    範例實施例係參考理想的範例實施例(及中間結構)之示意性剖面圖而在此描述。因此，將預期得到例如製造技巧及/或公差之結果而與圖式之形狀的差異。因此，範例實施例不應解釋為限制於在此所繪示之區域的特別形狀，而是包括例如製造上所產生的形狀的偏差(deviation)。例如，繪示為矩形的埋植區域，在其邊緣通常將具有圓形或者曲線形特徵及/或植入濃度梯度(gradient of implant concentration)，而不是從植入區域到非植入區域之二元變化(binary change)。同樣地，藉由植入所形成的埋植區域(buried region)可導致在埋植區域和發生植入的表面之間的區域中有部份植入。因此，附圖所繪示的區域是自然示意，且其形狀並非旨在繪示裝置之區域的實際形狀，且非旨在限制本發明的範疇。
    除非另行定義，所有於此使用之詞彙(包含技術性與科學性詞彙)具有本發明所屬領域具有通常知識者通常理解之相同意義。將進一步理解的是諸如於常用字典所定義之詞彙應詮釋為具有如所屬技術領域之背景相符之意義的意義，且除非於此定義，否則將不予於理想化或過度正式地解釋。
    第1圖為根據範例實施例之施體基板的橫切面圖。
    參考第1圖，施體基板100可包含具有至少一凹面115的基板110、下部層120、光熱轉換層130及有機轉移層140。下部層120、光熱轉換層130及有機轉移層140可依序地設置於凹面115中。於範例實施例中，當複數個凹面115設置於基板110之上部部分時，複數個下部層120、複數個光熱轉換層130及複數個有機轉移層140係設置於複數個凹面115中。
    基板110可包含透明基板，諸如玻璃基板、石英基板、透明矽基板、透明塑膠基板等。透明塑膠基板之示例可包含乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚丙烯醯(polyacryl)、聚環氧物(polyepoxy)、聚乙烯(polyethylene)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚亞醯氨(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚(polyether)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)等。於範例實施例中，基板110可包含玻璃基板及/或石英基板。基板110可包含具有足夠機械強度之材料，以於雷射引發熱成像製程中傳輸及轉移雷射光束至光熱轉換層130。在此例中，玻璃基板及/或石英基板可輕易地處理，以具有設定或預定之結構，且在高溫製程下可不變形，如此玻璃基板及/或石英基板可作用為實行於範例實施例之基板110。
    於範例實施例中，複數個凹面115可設置於基板110之上部部分。具有設定或預定之尺寸之各凹面115可以設定或預定之距離設置於基板110上。凹面115可實質地對應於有機發光顯示裝置之像素或子像素的佈局而設置。例如，基板110可包含玻璃基板，且設置於基板110之上部部分之各凹面115自基板110之上表面可具有約100奈米至約10微米之深度。
    具凹面115之基板110之上部部分可被界定為實質上對應於有機發光顯示裝置之像素區域之邊界的隔離結構117。例如，各個隔離結構117可設置於相鄰的凹面115之間。隔離結構117可作用為障壁，以保護或預防有機轉移層140混合進相鄰像素。於範例實施例中，隔離結構117及基板110可整體地形成。因此，可確保施體基板100之期望機械強度，且施體基板100於雷射引發熱成像製程後可輕易地回收。
    下部層120可設置於基板110上，以部份地填滿凹面115。例如，下部層120可包含矽、丙烯醯系樹脂(acryl-based resin)、聚亞醯胺系樹脂(polyimide-based resin)、矽氧烷系樹脂(siloxane-based resin)、苯并環丁烯(benzocyclobutene, BCB)、矽氧化物(SiOx)、金屬氧化物等。下部層120可作用為可減少基板110之表面粗糙度之塗佈層。進一步地，於雷射引發熱成像製程中，下部層120可作用為可輻射自光熱轉換層130所產生之熱的熱輻射層。雖然具有單層結構之下部層120係於第1圖繪示，下部層120可具有包含塗佈層及熱輻射層之雙層結構。在此，塗佈層及熱輻射層可分別包含不同材料。
    光熱轉換層130可設置於凹面115中之下部層120上。光熱轉換層130可吸收輻射入基板110中之雷射光束且可轉變雷射光束能量為熱能。於範例實施例中，光熱轉換層130可包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、碳黑等。例如，光熱轉換層130可包含如鋁(Al)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、銅(Cu)、釩(V)、鉭(Ta)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)之金屬、這些金屬之氧化物、這些金屬之硫化物等。其可單獨或以其組合使用。
    有機轉移層140可設置於光熱轉換層130上。有機轉移層140可完全地或部份地填充凹面115。例如，有機轉移層140自光熱轉換層130之上表面可具有約30埃至約500埃之厚度。
    有機發光顯示裝置之有機發光層可自施體基板100之有機轉移層140而獲得。於範例實施例中，有機轉移層140可包含紅色有機轉移層、綠色有機轉移層或藍色有機轉移層。在此例中，有機轉移層140可包含有機發光主體材料及摻雜於有機發光主體材料中的有機發光摻雜材料。有機發光主體材料之例子可包含4,4'-N,N'-二咔唑聯苯(4,4'-N,N' dicarbazole-biphenyl, CBP)、雙(2-甲基-8-喹啉) -4-苯基苯酚鋁(bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate aluminum, BAlq)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮菲(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, BCP)、N,N-二咔唑-1,4-二甲基-苯(N,N-dicarbazolyl-1,4-dimethene-benzene, DCB)、紅螢烯(rubrene)、聯苯乙烯(distyrylarylene, DSA)衍生物、氧二氮雜茂(oxadiazole)衍生物、蔥(anthracene)衍生物等。當有機發光摻雜材料包含螢光摻雜物時，有機發光摻雜材料之例子可包含二苯乙烯胺(distyrylamine)衍生物、氧二氮雜茂衍生物、蔥衍生物、苝(perylene)衍生物、喹吖酮(quinacridone)衍生物、二苯乙烯聯苯(distyrylbiphenyl)衍生物、10-(2-苯并噻唑)-1,1,7,7,-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H,11H-(1)苯并吡喃(6,7-8-1,j)喹嗪-11-酮(10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-(1) benzopyrano (6,7-8-l,j)quinolizin-11-one, C545T)、4-(二氰乙烯基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久落尼定基-9-乙烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran, DCJTB)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyril)-4H-pyrane, DCM)等。或者，當有機發光摻雜材料包含磷光摻雜物時，有機發光摻雜材料之例子可包含雙(4,6-二-氟苯基-吡啶-N,C2')吡啶甲醯合銥(iridium(m)bis[4,6-di-fluorophenyl)-pyridinato-N,C2']picolinate, F2Irpic)、(F2ppy)2Ir(tmd)、三( 2-苯基吡啶)合銥(III)(tris(2-phenylpyridine) iridium (III), Ir(PPy)3)、PQIr、Btp2Ir(acac)、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟吩鉑(II) (2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphine platinum (II), PtOEP)、Ir(piq)2(acac)等。
    於範例實施例中，有機轉移層140可包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等等。在此例中，電洞注入層可包含芳基胺(aryl amine)化合物、鈦菁(phthalocyanine)化合物、星爆胺等(starburst amine)。例如，電洞注入層可包含4,4',4''-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylamino)triphenylamine, m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯胺基) 苯基] 苯(1,3,5-tris[4-(3-methylphenylamino)phenyl]benzene)、銅酞菁(phthalocyanine copper, CuPc)等。電洞傳輸層可包含伸芳基二胺衍生物(arylene diamine derivative)、星爆化合物(starburst compound)、具有螺環基(Spiro group)之二胺基聯苯衍生物(biphenyl diamine derivative)及/或梯狀化合物(ladder compound)。例如，電洞傳輸層可包含N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯(N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, α-NPD)、4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]-聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl-1-)-N-phenyl-amino]-biphenyl, NPB)等。另外，電子傳輸層可包含TAZ、PBD、螺(spiro)-PBD、Alq3、BAlq及/或Salq，而電子注入層可包含氟化鋰(Lif)、鎵(gallium, Ga)錯合物、8-羥基喹啉鋰(Liq)及/或氟化銫(CsF)。
    關於根據範例實施例之施體基板100，光熱轉換層130及有機轉移層140可設置於基板110上所提供之至少一凹面115中，且介於相鄰的凹面115之間之基板110之部分可作用為隔離結構117。因此，具有微小尺寸之有機發光層可自施體基板100有效地獲得。進一步地，隔離結構117可與基板110整體地形成，且因此施體基板100於雷射引發熱成像製程後可輕易地回收。
    第2圖為根據一些範例實施例之施體基板的橫切面圖。
    參考第2圖，施體基板200可包含基板210，第一凹面215R、第二凹面215G、第三凹面215B、第一下部層220R、第二下部層220G、第三下部層220B、第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G、第三光熱轉換層230B、第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G、第三有機轉移層240B等。
    於範例實施例中，基板210可具有第一區域(I)、第二區域(II)及第三區域(III)。第一凹面215R、第二凹面215G及第三凹面215B可分別設置於第一區域(I)、第二區域(II)及第三區域(III)中。進一步地，第一下部層至第三下部層220R、220G及220B、第一光熱轉換層至第三光熱轉換層230R、230G及230B以及第一有機轉移層至第三有機轉移層240R、240G及240B可分別依序地設置於第一凹面至第三凹面215R、215G及215B中。在此，基板210之第一區域(I)、第二區域(II)及第三區域(III)可實質上對應於有機發光顯示裝置之紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素。
    基板210可包含透明基板，例如，玻璃基板、石英基板、透明矽基板、透明塑膠基板等。基板210可包含具有足夠機械強度之透明材料，以於雷射引發熱成像製程中轉移雷射光束至第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G及第三光熱轉換層230B。例如，玻璃基板或石英基板可輕易地處理以具有設定或預定之結構，且可於高溫製程中結構上穩定，如此玻璃基板或石英基板可作用為範例實施例中所實行之基板210。
    第一凹面215R、第二凹面215G及第三凹面215B可設置以實質上對應於有機發光顯示裝置之紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素之佈局。例如各個第一、第二及第三凹面215R、215G及215B自基板210之上表面可具有約100奈米至約10微米之深度。具第一、第二及第三凹面215R、215G及215B之基板210之上部部分可作用為隔離結構217。隔離結構217可實質上對應於有機發光顯示裝置之紅色、綠色及藍色子像素區域之邊界。隔離結構217可作用為障壁，以保護或預防第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B混進相鄰的像素。於範例實施例中，隔離結構217與基板210可整體地形成，如此施體基板200之機械強度可如預期地確保，且施體基板200於雷射引發熱成像製程後可回收。
    第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可設置於第一、第二及第三凹面215R、215G及215B之底面上，以分別部份地填充第一、第二及第三凹面215R、215G及215B。第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可作用為塗佈層，以用於減少基板210之表面粗糙度。進一步地，第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可作用為熱輻射層，以於雷射引發熱成像製程中輻射自第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B所產生之熱。例如，各個第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可包含矽、丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯并環丁烯、矽氧化物、金屬氧化物等。於一些範例實施例中，各個第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可包含可分別具有不同材料之塗佈層及熱輻射層。
    第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可設置於第一、第二及第三下部層220R、220G及220B上，以部分地填充第一、第二及第三凹面215R、215G及215B。各個第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、碳黑等。各個第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可吸收輻射於基板210之雷射光束且可轉換此雷射光束為熱能。例如，第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可藉由噴嘴印刷(nozzle printing)製程、噴墨印刷(ink-jet printing)製程、刮刀印刷(doctor blade printing)製程、平版印刷(offset printing)製程或生胚薄片積層(green sheet lamination)製程等而獲得。
    第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可分別設置於第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B上。第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可完全地或部分地填充第一、第二及第三凹面215R、215G及215B。於範例實施例中，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G及第三有機轉移層240B可分別包含紅色有機轉移層、綠色有機轉移層及藍色有機轉移層。
    當有機發光顯示裝置之像素區域包含紅色子像素區域、綠色子像素區域及藍色子像素區域時，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可形成於部份施體基板200上，以實質上對應於子像素區域。接著，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可藉由雷射輻射製程而轉移至子像素區域上。因此，有機發光顯示裝置之有機發光層可由施體基板200之第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B而形成。各個第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可包含有機發光主體材料及摻雜於有機發光主體材料中之有機發光摻雜材料。
    於範例實施例中，各個第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可額外包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層。此外，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可藉由噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、刮刀印刷製程、平版印刷製程、狹縫印刷(slit printing)製程、生胚薄片積層製程等而獲得。
    根據範例實施例之施體基板200中，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可分別設置於位於基板210之第一、第二及第三凹面215R、215G及215B。基板210於第一、第二及第三凹面215R、215G及215B間之部分可作用為隔離結構217。因此具有微小尺寸之有機發光層可自第一至第三有機轉移層240R、240G及240B而有效地獲得。進一步地，此隔離結構217可與基板210整體地形成，且因此施體基板200可於雷射引發熱成像製程後輕易地回收。
    第3圖至第6圖為根據一些範例實施例之製造施體基板之方法的橫切面圖。藉由於第3圖至第6圖中所示之方法而獲得之施體基板可具有與參考第2圖所述之施體基板實質上相同或實質上相似之構造。
    參考第3圖，遮罩260可形成於基板210上。基板210可包含透明材料，諸如玻璃、石英、透明矽、透明塑膠等。於基板210中之透明塑膠之例子可包含乙烯對苯二甲酸酯、聚丙烯醯、聚環氧物、聚乙烯、聚苯乙烯、聚亞醯氨、聚碳酸酯、聚醚、聚丙烯酸酯等。於範例實施例中，考量其熱傳導性、機械穩定性及加工性，基板210可包含玻璃基板及/或石英基板。
    遮罩260可具有噴砂光阻圖樣(sand blasting resist pattern)、金屬遮罩圖樣、光阻圖樣等。在範例實施例中，包含噴砂光阻圖樣之遮罩260可以藉由形成光罩於乾膜光阻劑(dry film resist, DFR)上並藉由執行暴露製程及顯影製程而貼合乾膜光阻劑於基板210上而提供於基板210上。
    參考第4圖，基板210可使用遮罩260而部分地移除，從而於基板210上形成第一凹面215R、第二凹面215G及第三凹面215B。於範例實施例中，當基板210包含玻璃基板及/或石英基板時，可執行噴砂製程(sand blasting process)、濕式蝕刻製程(wet etching process)及/或乾式蝕刻製程(dry etching process)於基板210上以移除部分基板210。然而，其它製程可根據基板210之成份而執行於基板210上。例如，當噴砂製程執行於包含玻璃之基板210上時，噴砂裝置可噴砂粒於具有遮罩260於其上之基板210，使得藉由遮罩260而暴露之基板210之部分可被移除以形成第一至第三凹面215R、215G及215B。在一些範例實施例中，基板210可藉由如離子光束蝕刻(ion beam etching)製程之乾式蝕刻製程及/或使用包含硫酸及/或氫氟酸之蝕刻溶液的濕式蝕刻製程而部分地移除，以從而形成第一至第三凹面215R、215G及215B。
    於範例實施例中，各個第一、第二及第三凹面215R、215G及215B可具有實質上對應於有機發光顯示裝置之各子像素區域或各像素區域之尺度。進一步地，各個第一、第二及第三凹面215R、215G及215B可具有範圍為約100奈米至約10微米之深度。
    第一、第二及第三凹面215R、215G及215B可形成於基板210上，如此相鄰於第一、第二及第三凹面215R、215G及215B之基板210的部分可被界定為隔離結構217。隔離結構217可實質上對應於像素區域或子像素區域之邊界。
    參考第5圖，遮罩260可自基板210移除，且第一下部層220R、第二下部層220G及第三下部層220B可分別形成於第一凹面215R、第二凹面215G及第三凹面215B上。進一步地，第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G及第三光熱轉換層230B可分別形成於第一下部層220R、第二下部層220G及第三下部層220B上。
    第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可使用矽、丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯并環丁烯、矽氧化物、金屬氧化物等而形成。第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可作用為塗佈層，以減少基板210之表面粗糙度。進一步地，第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可作用為熱輻射層，以於雷射引發熱成像製程中發散自第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B所產生之熱。雖然具有單層結構之各第一、第二及第三下部層220R、220G及220B係於第5圖繪示，各個第一、第二及第三下部層220R、220G及220B可具有包含塗佈層及熱輻射層之雙層結構。
    第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可分別座落於第一、第二及第三下部層220R、220G及220B上。於範例實施例中，第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可使用金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、碳黑而形成。例如，第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可包含鋁、鎳、鉬、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀、鉑、其氧化物及其硫化物等。此些可單獨或以其組合使用。第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B可藉由生胚薄片積層製程、離子電鍍(ion plating)製程、印刷(printing)製程、化學汽相沈積(chemical vapor deposition)製程、濺鍍(sputtering)製程等而形成。於一些範例實施例中，當各個第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B包含鎳及鉬時，具有鎳之第一生胚薄片及具有鉬之第二生胚薄片可依序地形成於第一、第二及第三下部層220R、220G及220B上。接著，第一生胚薄片及第二生胚薄片可燒結以分別形成包含鎳層及鉬層之第一、第二及第三光熱轉換層230R、230G及230B。
    參考第6圖，第一有機轉移層240R、第二有機轉移層240G及第三有機轉移層240B可分別形成於第一光熱轉換層230R、第二光熱轉換層230G及第三光熱轉換層230B上。例如，各個第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可具有範圍為約30埃至約500埃之厚度。於範例實施例中，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可分別具有紅色有機轉移層、綠色有機轉移層及藍色有機轉移層。於一些範例實施例中，各個第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可包含紅色有機轉移層、綠色有機轉移層及藍色有機轉移層之至少其二。例如，各個第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可包含紅色有機轉移層及綠色有機轉移層，或可包含紅色有機轉移層、綠色有機轉移層及藍色有機轉移層。
    於範例實施例中，有機發光顯示裝置之有機發光層可自施體基板之第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B而形成。在此例中，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可分別包含有機發光主體材料及有機發光摻雜材料。例如，第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可藉由噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、狹縫印刷製程、生胚薄片積層製程等而形成。
    於一些範例實施例中，具有疏水性溶液之額外的塗佈層可形成於隔離結構217之上表面上。額外的塗佈層可於形成第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B時保護或預防包含有機轉移材料之溶液混進相鄰的凹面。在此，包含疏水性溶液之額外的塗佈層可藉由混合樹脂與疏水性材料如氟系(fluorine-based)聚合物，以及藉由塗佈樹脂及疏水性材料之混合物於隔離結構217之上表面上而形成。於一些範例實施例中，各個第一、第二及第三有機轉移層240R、240G及240B可更包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。
    第7A圖及7B圖為根據範例實施例之繪示有機發光顯示裝置的平面圖及橫切面圖。第7B圖為沿著第7A圖A-A'線段所截取之有機發光顯示裝置之橫切面圖。
    參考第7A圖，有機發光顯示裝置可包含像素區域及隔離圖樣(像素定義層)370。有機發光顯示裝置之像素區域可包含紅色子像素區域300R、綠色子像素區域300G及藍色子像素區域300B。紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B可藉著隔離圖樣(像素定義層)370而分隔。紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B可設置於實質上平行於第一基板300之第一方向(如第7B圖所示)，並沿著實質上垂直於第一方向之第二方向。
    參考第7B圖，有機發光顯示裝置可包含第一基板300、薄膜電晶體330、第一絕緣夾層320、第二絕緣夾層340、第一電極360、像素定義層370、電洞注入層380、紅色發光層390R、綠色發光層390G、藍色發光層390B、電子注入層400、第二電極410等。
    第一基板300可包含玻璃基板及/或石英基板。薄膜電晶體330可提供於第一基板300上。薄膜電晶體330可包含閘極絕緣層310、主動圖樣331、汲極電極333、源極電極335、閘極電極337等。
    主動圖樣331可設置於第一基板300上，且可包含多晶矽。雖然並未繪示，主動圖樣331可具有源極區域、汲極區域、及通道區域。閘極絕緣層310可位於第一基板300上以覆蓋主動圖樣331。例如，閘極絕緣層310可包含矽氧化物、矽氮氧化物(silicon oxynitride)、金屬氧化物等。汲極電極333及源極電極335可設置於第一絕緣夾層320上。汲極電極333及源極電極335可穿過閘極絕緣層310及第一絕緣夾層320而形成，以接觸主動圖樣331之汲極區域及源極區域。例如，汲極電極333及源極電極335各別可包含多晶矽、金屬、金屬氮化物、合金等。閘極電極337可定位於閘極絕緣層310上。閘極電極337可包含多晶矽、金屬、金屬氮化物、合金等。
    第二絕緣夾層340可設置於薄膜電晶體330及第一絕緣夾層320上。例如，第一絕緣夾層320及第二絕緣夾層340各別可包含矽化合物，諸如矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物等。
    第一電極360 (如陽極)可設置於第二絕緣夾層340上。第一電極360可電性連接於汲極電極333。例如，第一電極360可包含透明導電材料，如銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、鋅錫氧化物(zinc tin oxide, ZTO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、鋅氧化物(ZnOx)、鎵氧化物(GaOx)、錫氧化物(SnOx)等。或者，第一電極360可包含金屬，如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀等。於範例實施例中，第一電極360可具有包含透明材料薄膜及/或金屬薄膜之單層結構。於一些範例實施例中，第一電極360可具有包含至少一透明材料薄膜及/或至少一金屬薄膜之多層結構。例如，第一電極360可包含具有第一銦錫氧化物薄膜、銀薄膜及第二銦錫氧化物薄膜之多層結構。
    像素定義層370可設置於第二絕緣夾層340及第一電極360上。像素定義層370可界定紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B。於範例實施例中，像素定義層370可作用為隔離圖樣370(見第7A圖)，以劃分紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B。例如，像素定義層370可包含聚亞醯胺系樹脂、丙烯醯系樹脂等。
    於範例實施例中，電洞注入層380可設置於像素定義層370及第一電極360上。紅色發光層390R、綠色發光層390G及藍色發光層390B可位於其中電洞注入層380可設置的像素定義層370之開口中。在此，紅色發光層390R、綠色發光層390G及藍色發光層390B可分別設置於紅色子像素區域300R、綠色子像素區域300G及藍色子像素區域300B中。
    電子注入層400可設置於紅色發光層390R、綠色發光層390G、藍色發光層390B及像素定義層370上。第二電極410(如陰極)可設置於電子注入層400上。第二電極410可包含透明導電材料，如銦錫氧化物、鋅錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫氧化物等。
    第8圖至第10圖為根據範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法的橫切面圖。繪示於第8圖至第10圖之方法可提供具有實質上相同或實質上相似於參考第7B圖所示之有機發光顯示裝置的構造之有機發光顯示裝置。
    參考第8圖，第一電極360可形成於座落於第一基板300上之開關結構350上。在此，開關結構350可包含如第7B圖所示之薄膜電晶體330、第一絕緣夾層320及第二絕緣夾層340。進一步地，薄膜電晶體330可包含閘極絕緣層310、主動圖樣331、汲極電極333、源極電極335、閘極電極337等。
    第一電極360可使用透明材料、金屬等而形成於開關結構350上。於範例實施例中，第一電極360可藉由形成電極層(圖未示)於開關結構350上及藉由圖樣化此電極層而獲得。第一電極360可延伸至第一基板300之紅色子像素區域300R、綠色子像素區域300G及藍色子像素區域300B中。
    像素定義層370可形成於開關結構350及第一電極360上。於範例實施例中，初步像素定義層(圖未示)可使用聚亞醯胺系樹脂、丙烯醯系樹脂而形成，以覆蓋開關結構350及第一電極360，且接著初步像素定義層可圖樣化以形成具有於紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B暴露部份第一電極360之開口的像素定義層370。在此例中，藉著像素定義層370之開口所暴露之區域可界定為紅色、綠色、及藍色子像素區域300R、300G及300B。
    電洞注入層380可形成以覆蓋第一電極360及像素定義層370。於範例實施例中，電洞注入層380可藉由旋轉塗佈(spin coating)製程、狹縫塗佈(slit coating)製程、印刷製程等而形成。
    於一些範例實施例中，電洞傳輸層可額外地形成於電洞注入層380上。電洞傳輸層可使用上述材料而形成。
    參考第9圖，具有實質上相同或實質上相似於參考第2圖所示之施體基板200之構造之施體基板200'可相對於第一基板300而設置。
    在形成根據範例實施例之施體基板中，第一凹面、第二凹面及第三凹面可形成於基板上。藉著第一、第二及第三凹面所暴露之基板之上部部分可被界定為隔離結構。因此，隔離結構可與基板整體地形成。第一下部層、第二下部層及第三下部層可分別形成於第一凹面、第二凹面及第三凹面中。第一光熱轉換層、第二光熱轉換層及第三光熱轉換層可分別形成於第一下部層、第二下部層及第三下部層上。進一步地，第一有機轉移層、第二有機轉移層及第三有機轉移層可分別形成於第一光熱轉換層、第二光熱轉換層及第三光熱轉換層上。施體基板之隔離結構可實質上對應於像素定義層370。分別地包含紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層於第一、第二及第三凹面中之第一、第二及第三有機轉移層可分別設置以對應於紅色子像素區域300R、綠色子像素區域300G及藍色子像素區域300B。
    雷射光束可輻射於施體基板之背面。例如，雷射光束可輻射至相對於第一、第二及第三凹面之基板210之表面。因此，施體基板之紅色、綠色及藍色發光層可形成於第一基板300之紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B中之電洞注入層380上。在此例中，第一、第二及第三光熱轉換層可轉換雷射光束之能量為熱能，且因此於第一、第二及第三光熱轉換層上之第一、第二及第三有機轉移層可藉由熱能而昇華。因此，第一、第二及第三有機轉移層可轉移入第一基板300之紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B。結果，紅色、綠色及藍色發光層390R、390G及390B可形成於電洞注入層380上。施體基板之隔離結構可實質上對應於第一基板300上之像素定義層370而設置，使得第一有機轉移層可輕易地轉移於紅色子像素區域300R上，且隔離結構217可預防第一有機轉移層240R混於相鄰的子像素區域。相同地，第二有機轉移層及第三有機轉移層亦可輕易地分別轉移於綠色子像素區域300G及藍色子像素區域300B上，而不會混於相鄰的子像素區域。因此，具有微小尺寸之有機轉移層可有效地轉移於第一基板300上。即使雷射光束可能輻射於施體基板之相對大之區域，紅色、綠色及藍色發光層390R、390G及390B可對應於子像素區域而精確地形成，以減少用於形成發光層390R、390G及390B之處理時間。
    於範例實施例中，雷射引發熱成像製程可於減壓下執行。例如，在藉由施體基板之隔離結構與第一基板300之像素定義層370所界定之空間，施體基板之第一、第二及第三有機轉移層可藉由因雷射光束之輻射所導致之熱能而昇華，使得紅色、綠色及藍色發光層390R、390G及390B可形成於第一基板300上。當雷射引發熱成像製程於減壓下執行時，施體基板之有機轉移層可以相對低功率之雷射光束而有效地轉移，且轉移的發光層390R、390G及390B可具有期望的表面特性。於一些範例實施例中，雷射引發熱成像製程可於大氣壓下進行。
    於一些範例實施例中，具有疏水性溶液之額外的塗佈層可形成於施體基板之隔離結構上，使得紅色、綠色及藍色發光層390R、390G及390B可更有效及精確地形成於第一基板300上。
    參考第10圖，依照雷射引發熱成像製程，紅色、綠色及藍色發光層390R、390G及390B可形成於紅色、綠色及藍色子像素區域300R、300G及300B中之電洞注入層380上。電子注入層400及第二電極410可依序地形成於紅色發光層390R、綠色發光層390G、藍色發光層390B及電洞注入層380上。保護層(圖未示)及第二基板(圖未示)可形成於第二電極410上，以提供有機發光顯示裝置。
    於一些範例實施例中，在形成電子注入層400之前，電子傳輸層可額外地形成於紅色發光層390R、綠色發光層390G、藍色發光層390B及電洞注入層380上。
    在根據範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法中，施體基板之隔離結構可設置以相對應於第一基板之像素定義層，且有機轉移層可自施體基板轉移至第一基板上。因此，隔離結構可保護或預防有機轉移層混進相鄰的像素區域。此外，具有微小尺寸之有機轉移層可有效地轉移至第一基板上。另外，雷射光束可輻射進施體基板之相對較大之部分，使得用於形成有機發光層之處理時間可減少。
    根據範例實施例，施體基板可包含光熱轉換層及設置於基板上所形成之凹面中的有機轉移層。相鄰於凹面之基板的部分可作用為隔離結構。具有微小尺寸之有機發光層可有效地自施體基板之有機轉移層而獲得。隔離結構可與基板整體地形成，且因此施體基板可於雷射引發熱成像製程後回收。
    前述為範例實施例之解說，並非解釋為其限制。雖然已說明一些範例實施例，該領域之通常知識者將輕易領會在不實質上脫離範例實施例之新教示及優點下，在這些範例實施例中的許多修改係為可行的。因此，所有這樣的修改係旨在涵蓋於如申請專利範圍所定義之範例實施例之範疇中。於申請專利範圍中，功能手段用語係旨在包含作為執行列舉之功能而在此敘述之結構、以及不只是結構之相等物且亦還有等效之結構。因此，將了解的是前述為範例實施例之解說且不應解釋為限制於所揭露之特定實施例，且於所揭露之範例實施例之修改及其它範例實施例係旨在包含於附加申請專利範圍之範疇中。本發明係藉由下列的申請專利範圍及包含於申請專利範圍其中之等效物而定義。
    100、200、200’．．．施體基板
    110、210．．．基板
    115．．．凹面
    117、217．．．隔離結構
    120．．．下部層
    130．．．光熱轉換層
    140．．．有機轉移層
    215R．．．第一凹面
    215G．．．第二凹面
    215B．．．第三凹面
    220R．．．第一下部層
    220G．．．第二下部層
    220B．．．第三下部層
    230R．．．第一光熱轉換層
    230G．．．第二光熱轉換層
    230B．．．第三光熱轉換層
    240R．．．第一有機轉移層
    240G．．．第二有機轉移層
    240B．．．第三有機轉移層
    260．．．遮罩
    300．．．第一基板
    300R．．．紅色子像素區域
    300G．．．綠色子像素區域
    300B．．．藍色子像素區域
    310．．．閘極絕緣層
    320．．．第一絕緣夾層
    330．．．薄膜電晶體
    331．．．主動圖樣
    333．．．汲極電極
    335．．．源極電極
    337．．．閘極電極
    340．．．第二絕緣夾層
    350．．．開關結構
    360．．．第一電極
    370．．．像素定義層
    380．．．電洞注入層
    390R．．．紅色發光層
    390G．．．綠色發光層
    390B．．．藍色發光層
    400．．．電子注入層
    410．．．第二電極
    範例實施例可由上述說明結合附圖而更詳細地了解，其中：第1圖為根據範例實施例之施體基板的橫切面圖。第2圖為根據一些範例實施例之施體基板的橫切面圖。第3圖至第6圖為根據範例實施例之製造施體基板之方法的橫切面圖。第7A圖為根據範例實施例之有機發光顯示裝置的平面圖。第7B圖為根據範例實施例之有機發光顯示裝置的橫切面圖。第8圖至第10圖為根據範例實施例之製造有機發光顯示裝置之方法的橫切面圖。
    200’．．．施體基板
    210．．．基板
    215R．．．第一凹面
    215G．．．第二凹面
    215B．．．第三凹面
    217．．．隔離結構
    220R．．．第一下部層
    220G．．．第二下部層
    220B．．．第三下部層
    230R．．．第一光熱轉換層
    230G．．．第二光熱轉換層
    230B．．．第三光熱轉換層
    240R．．．第一有機轉移層
    240G．．．第二有機轉移層
    240B．．．第三有機轉移層
    300．．．第一基板
    300R．．．紅色子像素區域
    300G．．．綠色子像素區域
    300B．．．藍色子像素區域
    310．．．閘極絕緣層
    320．．．第一絕緣夾層
    330．．．薄膜電晶體
    331．．．主動圖樣
    333．．．汲極電極
    335．．．源極電極
    337．．．閘極電極
    350．．．開關結構
    360．．．第一電極
    370．．．像素定義層
    380．．．電洞注入層
    390R．．．紅色發光層
    390G．．．綠色發光層
    390B．．．藍色發光層
    权利要求:
    Claims (23)
    [1] 一種施體基板，其包含：一基板，係具有一凹面及相鄰於該凹面之一隔離結構；一光熱轉換層，係位於該凹面中；以及一有機轉移層，係位於該光熱轉換層上。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，更包含介於該凹面之一底面與該光熱轉換層之間的一下部層。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之施體基板，其中該下部層包含選自由矽、丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯并環丁烯、矽氧化物及金屬氧化物所組成之群組之至少其一。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之施體基板，其中該下部層包含一塗佈層及一熱幅射層。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該基板包含對於雷射光束具有穿透性的一材料。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該光熱轉換層包含選自由金屬、金屬氧化物、金屬硫化物及碳黑所組成之群組之至少其一。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之施體基板，其中該光熱轉換層包含選自由鎳、鉬、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀、鉑、其氧化物及其硫化物所組成之群組之至少其一。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該有機轉移層包含一紅色有機轉移層，一綠色有機轉移層或一藍色有機轉移層。
    [9] 一種施體基板，其包含：一基板，係具有一第一凹面、一第二凹面、一第三凹面及藉由該第一凹面、該第二凹面及該第三凹面所界定之一隔離結構；一第一光熱轉換層、一第二光熱轉換層及一第三光熱轉換層，係分別位於該第一凹面、該第二凹面及該第三凹面中；一紅色有機轉移層，係位於該第一光熱轉換層上；一綠色有機轉移層，係位於該第二光熱轉換層上；以及一藍色有機轉移層，係位於該第三光熱轉換層上。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之施體基板，更包含：一第一下部層，係介於該第一凹面之一底面與該第一光熱轉換層之間；一第二下部層，係介於該第二凹面之一底面與該第二光熱轉換層之間；以及一第三下部層，係介於該第三凹面之一底面與該第三光熱轉換層之間。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之施體基板，其中各該第一下部層、該第二下部層及該第三下部層包含選自由矽、丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯并環丁烯、矽氧化物及金屬氧化物所組成之群組之至少其一。
    [12] 如申請專利範圍第10項所述之施體基板，其中各該第一下部層、該第二下部層及該第三下部層包含一塗佈層及一熱幅射層。
    [13] 一種製造施體基板之方法，該方法包含下列步驟：形成一凹面及一隔離結構於一基板上，該隔離結構係藉由該凹面而界定；形成一下部層於該凹面上；形成一光熱轉換層於該下部層上；以及形成一有機轉移層於該光熱轉換層上。
    [14] 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該凹面及該隔離結構之形成係包含下列步驟：形成一遮罩於該基板上；以及使用該遮罩部分地移除該基板，以形成該凹面及該隔離結構。
    [15] 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該凹面及該隔離結構之形成包含一噴砂製程、一乾式蝕刻製程或一濕式蝕刻製程。
    [16] 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該下部層之形成包含一噴嘴印刷製程、一噴墨印刷製程、一刮刀印刷製程、一平版印刷製程或一生胚薄片積層製程。
    [17] 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該光熱轉換層之形成包含一噴嘴印刷製程、一噴墨印刷製程、一刮刀印刷製程、一平版印刷製程、一凹版印刷製程、一凹平版印刷製程或一狹縫印刷製程。
    [18] 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該光熱轉換層之形成包含一生胚薄片積層製程、一積層製程或一轉移製程。
    [19] 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該有機轉移層之形成包含一噴嘴印刷製程、一噴墨印刷製程、一刮刀印刷製程、一平版印刷製程、一凹版印刷製程、一凹平版印刷製程、一狹縫印刷製程、一生胚薄片積層製程或一積層製程。
    [20] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成具有複數個凹面及藉由該複數個凹面而界定之一隔離結構的一施體基板；形成一第一電極於一第一基板上；形成一像素定義層於該第一電極上，以界定複數個像素區域；設置該施體基板相對於該第一基板；執行一雷射引發熱成像製程，以形成複數個發光層於該複數個像素區域中；以及形成一第二電極於該像素定義層及該複數個發光層上。
    [21] 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該施體基板之形成包含下列步驟：形成複數個光熱轉換層於該複數個凹面上；以及形成複數個有機轉移層於該複數個光熱轉換層上。
    [22] 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該複數個發光層之形成包含設置該像素定義層相對於該隔離結構。
    [23] 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該雷射引發熱成像製程係執行於減壓或大氣壓下。
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